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低压降肖特基二极管工艺-强元芯工程大揭密

文章出处:强元芯文章编辑:小编人气:-发表时间:2016-09-18 00:00:00【
摘要 : 低压降肖特基二极管工艺怎么样的呢?看看强元芯工程为您解读新型工艺。

低压降肖特基二极管

低压降肖特基二极管,历经五年开发,目前已拥有三代LOWVFSKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性,能助您电源产品加强电源开关效率及节能的要求,MHCHXM对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。

LowVFSKY(低压降肖特基二极管)平面MOS工艺分解(第二代)

低压降肖特基第二代,采用平面MOS工艺,将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中,增加芯片晶胞结构的密度,从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题,即保持了传统肖特基的优点,又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。

24小时客户服务热线:400-9929-667;如果您对以上肖特基系列感兴趣或有疑问,请联系我们的企业QQ:800023533





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